產(chǎn)品型號(hào)：HYDROGEN-2L/4L/6L

高純CVD，MOCVD專(zhuān)用氫氣發(fā)生器產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、儀器的全部工作過(guò)程均由程序控制，自動(dòng)恒壓、恒流，通過(guò)串聯(lián)控制線，可實(shí)現(xiàn)多組并聯(lián)使用。

2、使用固態(tài)電解質(zhì)（PEM）法產(chǎn)生氫氣，以超純凈水原料，以固體聚合物為電解質(zhì)，貴金屬做電極有效的除濕裝置，降低了原始濕度，純度穩(wěn)定。

3、操作方便使用時(shí)只需打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)即可產(chǎn)氫，使用后無(wú)需泄壓，直接關(guān)閉電源即可?？蛇B續(xù)使用，也可間斷使用，產(chǎn)氫量穩(wěn)定不衰減。

4、安全可靠：配有安全裝置，電解超純水制氫，無(wú)腐蝕、無(wú)污染，配有壓力控制，缺水自動(dòng)監(jiān)控，漏氣自動(dòng)檢測(cè)。

5、配備純水系統(tǒng)，完成自來(lái)水進(jìn)水完成大流量的氫氣制備。

高純CVD，MOCVD專(zhuān)用氫氣發(fā)生器技術(shù)參數(shù)：

CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積）和MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積）是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，用于制備薄膜、涂層和納米材料等。氫氣作為這兩種技術(shù)中的還原劑和載氣，其純度和穩(wěn)定性對(duì)最終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能有著至關(guān)重要的影響。

在CVD過(guò)程中，氫氣通常作為還原性氣體參與反應(yīng)，幫助形成所需的材料薄膜。例如，在制備二維材料如MOS2、WS2時(shí)，氫氣可以還原固態(tài)前驅(qū)體，生成目標(biāo)材料的薄膜。同樣，在PECVD工藝中，氫氣也作為還原性氣體，用于制備石墨烯、單晶硅、碳化硅等材料。而在ECR-CVD中，氫氣則作為反應(yīng)氣體，在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜。

MOCVD技術(shù)則是一種特殊的CVD技術(shù)，主要用于生長(zhǎng)復(fù)雜化合物薄膜，如半導(dǎo)體材料、光電材料等。在這一過(guò)程中，氫氣不僅作為載氣，將金屬有機(jī)前驅(qū)物輸送到高溫反應(yīng)區(qū)域，還參與化學(xué)反應(yīng)，幫助金屬有機(jī)前驅(qū)物分解并釋放金屬原子，這些金屬原子再與載氣中的其他氣體反應(yīng)，最終在襯底表面形成所需薄膜。例如，在制備光電材料GaN、AlGaN時(shí)，氫氣就起到了這樣的作用。

為了確保CVD和MOCVD過(guò)程中氫氣的供應(yīng)穩(wěn)定且純凈，專(zhuān)用的氫氣發(fā)生器應(yīng)運(yùn)而生。這些氫氣發(fā)生器能夠產(chǎn)生高達(dá)99.999%至99.99999%純度的氫氣，滿足半導(dǎo)體制造領(lǐng)域?qū)Ω呒兌葰錃獾男枨蟆Ｍ瑫r(shí)，它們還配備了高精度的流量和壓力調(diào)節(jié)系統(tǒng)，確保氫氣的流量和壓力符合工藝要求，從而優(yōu)化薄膜的性能。

此外，考慮到氫氣的易燃性，這些氫氣發(fā)生器還設(shè)計(jì)了多重安全措施，包括泄漏監(jiān)測(cè)、自動(dòng)關(guān)閉系統(tǒng)以及防爆構(gòu)造等，以確保實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)環(huán)境的安全。操作過(guò)程也相對(duì)簡(jiǎn)便，配備了直觀的用戶界面和自動(dòng)化控制系統(tǒng)，大大提升了實(shí)驗(yàn)和生產(chǎn)的效率。